基本情報

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玉村 好司(タマムラ コウシ)

TAMAMURA Koshi


職名

URA

出身学校 【 表示 / 非表示

  • 早稲田大学  理工学部  電気工学科  1981年03月  卒業

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 早稲田大学  電気通信学研究科  半導体工学  修士課程  1983年03月  修了

経歴(学内) 【 表示 / 非表示

  • 2014年05月
    -
    2016年02月
    東京医科歯科大学 リサーチ・ユニバーシティ推進機構 リサーチ・アドミニストレーター室 特任准教授
  • 2014年05月
    -
    2020年03月
    東京医科歯科大学 リサーチ・ユニバーシティ推進機構 リサーチ・アドミニストレーター室 URA
  • 2020年04月
    -
    現在
    東京医科歯科大学 リサーチ・ユニバーシティ推進機構 リサーチ・アドミニストレーター室 URA

経歴(学外) 【 表示 / 非表示

  • 1983年04月
    -
    2019年03月
    ソニー株式会社 社員

所属学協会 【 表示 / 非表示

  • RA協議会

 

論文・総説 【 表示 / 非表示

  1. Jun-ichi Kasai, Ryouichi Akimoto, Haruhiko Kuwatsuka, Toshifumi Hasama, Hiroshi Ishikawa, Sumiko Fujisaki, Takeshi Kikawa, Sigehisa Tanaka, Shinji Tsuki, Hiroshi Nakajima, Kunihiko Tasai, Yoshiro Takiguchi, Tsunenori asatsuma, Koshi Tamamura. 545 nm Room-Temperature Continuous-Wave Operation of BeZnCdSe Quantum-Well Green Laser Diodes with Low threshold Cureent Density Applied Physics Express. 2010.09; 3 (9): 091201.

  2. Hironori Tsukamoto, Kohshi Tamamura, Masaharu Nagai, Futoshi Hiei, Masao Ikeda. Optical characteristics of ZnCdSe/ZnSSe single quantum wells Journal of Crystal Growth. 1998.08; 191 (4): 679-684.

  3. Hironori Tsukamoto, Masaharu Nagai, Eisaku Katoh, Kohshi Tamamura, Akira Ishibashi, Masao Ikeda. ZnSe nitrogen doping using an ion-free electron-cyclotron-resonance plasma beam Appl.Phys.Lett.. 1997; 70 1453.

  4. K.Tamamura, K.Akimoto, Y.Mori. Silicon growth on germanium substrates by electron cyclotron resonance plasma excitation Journal of Crystal Growth. 1990.03; 100 (3): 643-645.

  5. K.Tamamura, K.Akimoto, Y.Mori. Dislocation density of lattice mismatched epitaxial layers Journal of Crystal Growth. 1989.04; 94 (4): 821-826.

  6. K.Tamamura,K.Akimoto,Y.Mori. Coherent Si growth on GaAs substrates by vapor phase deposition Applied Physics Letter. 1989; 54 347.

  7. Junko ogawa, Kohshi Tamamura, Katsuhiro Akimoto, Yoshifumi Mori . Photoluminescence spectra of highly doped AlxGa1-xAs grown by molecular-beam epitaxy J.Appl.Phys.. 1988; 63 2765.

  8. Katsuhiro Akimoto, Koshi Tamamura, Junko Ogawa, Yoshifumi Mori, Chiaki Kojima. Photoluminescence study on the interface of a GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure grown by metalorganic chemical vapor deposition J.Appl.Phys.. 1988; 63 460.

  9. S.Hirata, K.Tamamura, C.Kojima. λ/4-shifted AlGaAs/GaAs DFB lasers with double window Electronics Letters. 1987.06; 23 (12): 627-628.

  10. K.Tamamura, J.Ogawa, K.Akimoto, Y.Mori, C.Kojima. Carbon incorporation in metalorganic chemical vapor deposition (Al,Ga)As films grown on (100),(311)A, and (311)B oriented GaAs substrates Appl.Phys.Lett.. 1987; 50 1149.

  11. Junko ogawa, Kohshi Tamamura, Katsuhiro Akimoto, Yoshifumi Mori . Degradation in GaAs/AlGaAs double-heterostructure light-emitting diodes Appl.Phys.Lett.. 1987; 51 1949.

  12. Shoji Hirata, Koshi Tamamura, Yoshifumi Mori, C Kojima. AlGaAs/GaAs distributed feedback lasers with first-order grating fabricated by metalorganic chemical vapor deposition Appl.Phys.Lett.. 1987; 51 63.

  13. T.Ohata, K.Honda, S.Hirata, K.Tamamura, H.Ishikawa, K.Miyahara, Y.Mori C.Kojima. AlGaAs/GaAs distributed feedback laser diodes grown by MOCVD Journal of Crystal Growth. 1986.09; 77 637-642.

  14. S.Hirata, K.Honda, T.Ohata, K.Miyahara, K.Tamamura, H.Ishikawa, Y.Mori, C.Kojima. Low-threshold AlGaAs/GaAs distributed feedback lasers fabricated by MOCVD Electronics Letters. 1986.09; 22 (19): 1023-1024.

  15. K.Tamamura, T.Ohhata, H.Kawai C.Kojima. Magnesium doping of (Al,Ga)As in metalorganic chemical vapor deposition J.Appl.Phys.. 1986; 59 3549.

  16. Hideki Gotoh, Kiyoshi Sasamoto, Shigeru Kuroda, Tohru Yamamoto, Koshi Tamamura, Masayuki Fukushima, Morihiko Kimata. S doping of MBE-GaSb with H2S Gas Japanese Journal of Applied Physics . 1981; 20 L893-L896.

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特許 【 表示 / 非表示

  • DENTAL APPARATUS, IMAGE ACQUISITION METHOD, AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS

    出願番号: 13/902199

  • PHOTODYNAMIC DIAGNOSIS APPARATUS, PHPTODYNAMIC DIAGNOSIS METHOD AND DEVICE

    公開番号: CN 103565412 A

  • PHOTODYNAMIC DIAGNOSIS APPARATUS, PHPTODYNAMIC DIAGNOSIS METHOD AND DEVICE

    公開番号: 20140031699

  • 歯用装置、医療用装置及び算出方法

    公開番号: CN103445877

  • DENTAL APPARATUS, IMAGE ACQUISITION METHOD, AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS

    公開番号: CN 103445761 A

  • DENTAL APPARATUS, MEDICAL APPARATUS AND CALCULATION METHOD

    公開番号: 2013/0323673

  • 歯用装置、医療用装置及び算出方法

    公開番号: 2014-004329

  • 歯用装置、医療用装置及び算出方法

    公開番号: 2014-004329

  • 光線力学診断装置、光線力学診断方法及びデバイス

    公開番号: 2014-025774

  • 歯用装置、画像取得方法及び情報処理装置

    公開番号: 2013-248220

  • 歯用装置、画像取得方法及び情報処理装置

    公開番号: 2013-248220

  • ESTIMATING APPARATUS AND ESTIMATING METHOD

    公開番号: 2013/0123642

  • 判別装置及び判別方法

    公開番号: CN102791330

  • 評価措置及び評価方法

    公開番号: CN102791329 A

  • DETERMINATION DEVICE AND DETERMINATION METHOD

    公開番号: WO2011/114652

  • DETERMINATION DEVICE AND DETERMINATION METHOD

    公開番号: 2013/0172863

  • 判別装置及び判別方法

    出願番号: 201206644-5

  • DETERMINATION DEVICE AND DETERMINATION METHOD

    公開番号: 2548615

  • EVALUATION DEVICE AND EVALUATION METHOD

    公開番号: 2548616

  • EVALUATION DEVICE AND EVALUATION METHOD

    公開番号: WO2011/114653

  • Device to evaluate progress condition of an operation

    特許番号: 183946

  • 評価装置及び評価方法

    公開番号: 2011-212423

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    特許番号: 8008165

  • 評価措置及び評価方法

    出願番号: 2010058385

  • 判別装置及び判別方法

    公開番号: 2011-189019

  • 算出装置及び算出方法

    公開番号: 2011-189020

  • 蛍光寿命測定装置、蛍光寿命測定方法及びプログラム

    特許番号: ZL201080004129X

  • FLUORESCENCE LIFE MEASURING DEVICE, FLUORESCENCE LIFE MEASURING METHOD, AND PROGRAM

    公開番号: WO2010/082611

  • FLUORESCENCE LIFE MEASURING DEVICE, FLUORESCENCE LIFE MEASURING METHOD, AND PROGRAM

    特許番号: 8618506

  • FLUORESCENCE LIFE MEASURING DEVICE, FLUORESCENCE LIFE MEASURING METHOD, AND PROGRAM

    公開番号: 2381241

  • Semiconductor device

    特許番号: ZL200910163685.0

  • SEMICONDUCTOR DEVICE

    公開番号: 2010/0040103

  • 蛍光寿命測定装置、蛍光寿命測定方法及びプログラム

    特許番号: 5169857

  • 血液情報取得装置

    特許番号: 4502060

  • 半導体素子

    公開番号: 2010-45165

  • 半導体素子

    公開番号: 2010-045165

  • 半導体発光素子

    公開番号: 2010-040923

  • 半導体素子および半導体発光素子

    公開番号: 2010-016232

  • SEMICONDUCTOR DEVICE

    特許番号: 8050305

  • SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE

    公開番号: 2008/0247434

  • EL SEMICONDUCTOR DEVICE

    特許番号: 7899104

  • 半導体発光素子およびその製造方法

    公開番号: 2009-147112

  • 窒化物系化合物半導体素子及びその作製方法

    特許番号: 4786634

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    特許番号: 10-0889052

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    特許番号: 10-0893232

  • 半導体発光素子

    公開番号: 2009-059886

  • 半導体素子

    特許番号: 5028177

  • 半導体素子

    特許番号: 5117114

  • 半導体発光素子

    特許番号: 5208438

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    公開番号: 2007/0117357

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    公開番号: CN1994676

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    特許番号: ZL200610159295.2

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    特許番号: ZL200610159296.7

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    特許番号: ZL200610159297.1

  • Optical semiconductor devices on InP substrate

    特許番号: 1760850

  • Optical semiconductor devices on InP substrate

    特許番号: 7772586

  • InP基板を有する光半導体装置

    特許番号: ZL200610108927.2

  • InP基板を有する光半導体装置

    公開番号: 07-0025989

  • InP基板を有する光半導体装置

    特許番号: 4920221

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    特許番号: 7091056

  • 平坦度測定装置および平坦度測定方法

    公開番号: 2006-300624

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    特許番号: 7091056

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    特許番号: 7535082

  • 半導体レーザ素子

    特許番号: 4599836

  • 半導体発光素子の製造方法

    特許番号: 3739381

  • 半導体発光素子の製造方法および半導体素子の製造方法

    特許番号: 3739379

  • 半導体発光素子の製造方法

    特許番号: 3739378

  • 半導体発光素子の製造方法

    特許番号: 3739380

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    特許番号: 1475826

  • 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法

    公開番号: 2005-116926

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    特許番号: 6875082

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    特許番号: ZL03158057.2

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    特許番号: I239045

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    特許番号: 1239045

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    特許番号: 0550491

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    特許番号: 0550491

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    特許番号: 1475826

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    特許番号: 1475826

  • 窒化物半導体基板の加工方法

    特許番号: 3581145

  • Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

    特許番号: 3581145

  • 窒化物半導体基板の加工方法

    特許番号: 3581145

  • GaN基板

    公開番号: 2004-335646

  • GaN基板

    特許番号: 4518746

  • 色を用いた識別システム及び情報処理装置

    公開番号: 2004-280518

  • 発光素子及びその作製方法

    公開番号: 2004-228122

  • 半導体発光素子およびその駆動方法

    特許番号: 4395702

  • ブロードエリア型半導体レーザおよびその製造方法

    特許番号: 4378955

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    特許番号: I1221688

  • 発光素子及びその作製方法

    公開番号: 2004-134501

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    特許番号: 2463169

  • METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR FABRICATING AND ELEMENT

    公開番号: WO03/034560

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    特許番号: 7176499

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    公開番号: 1441426

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    特許番号: 10-0893230

  • METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONCONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE, AND DEVICE

    特許番号: 7176499

  • 窒化物系半導体レーザ素子及びその作製方法

    公開番号: 2002-359431

  • 窒化物系化合物半導体発光素子

    特許番号: 4072351

  • 窒化物系化合物半導体素子及びその作製方法

    特許番号: 4072352

  • 窒化物系化合物半導体素子の実装方法

    特許番号: 4043794

  • 光集積素子

    特許番号: 4043795

  • 半導体発光素子の製造方法

    特許番号: 4290358

  • 窒化物系半導体光素子の作製方法

    公開番号: 2002-359441

  • 窒化物系半導体光素子の作製方法

    特許番号: 4770060

  • 窒化物系半導体発光素子の作製方法

    公開番号: 2002-359439

  • 化合物半導体光学装置およびその製造方法

    公開番号: 2002-232084

  • 半導体装置の製造方法

    特許番号: 4465890

  • 半導体発光装置およびその製造方法

    公開番号: 2002-185084

  • 半導体素子の製造方法およびそれにより得られた半導体素子

    公開番号: 2002-064103

  • 半導体素子

    特許番号: 4556288

  • Determination of critical film thickness of a conpound semiconductor layer, and a method for manufacturing a semiconductor device using the method of determination

    特許番号: 6024794

  • 携帯型血液情報取得装置

    特許番号: 4264596

  • Semiconductor light emitting device with carrier diffusion suppressing layer

    特許番号: 6084251

  • 半導体発光装置およびその製造方法

    公開番号: 平11-168257

  • Semiconductor light emitting device with current blocking region

    特許番号: 5949093

  • 分子線エピタキシ装置

    特許番号: 3952556

  • 半導体発光装置とその製造方法

    公開番号: 平11-087764

  • 半導体発光装置とその製造方法

    公開番号: 平11-074616

  • 多重量子井戸型半導体発光素子

    特許番号: 4069479

  • AlGaInP系半導体発光素子ならびに光ディスク記録および/または再生装置

    公開番号: 平10-290046

  • 半導体発光素子とその製造方法

    公開番号: 平10-270797

  • 半導体発光素子とその製造方法

    特許番号: 3817806

  • 化合物半導体層の成長方法

    公開番号: 平10-209047

  • 半導体発光素子およびその製造方法

    公開番号: 平10-150243

  • Method for growing a II-VI compound semiconductor layer containing cadmium and method for fabricating a semiconductor laser

    特許番号: 5780322

  • Method for growing a II-VI compound semiconductor layer containing cadmium and method for fabricating a semiconductor laser

    公開番号: 0766297

  • Method for growing a II-VI compound semiconductor layer containing cadmium and method for fabricating a semiconductor laser

    特許番号: 0446202

  • 半導体発光素子

    公開番号: 平09-331114

  • 半導体発光装置とその製造方法

    公開番号: 平09-293932

  • 半導体発光装置とその製造方法

    公開番号: 平09-246655

  • II-VI族化合物半導体発光装置とその製造方法

    公開番号: 平09-237939

  • Determination of critical film thickness of a conpound semiconductor layer, and a method for manufacturing a semiconductor device using the method of determination

    特許番号: 128176

  • Determination of critical film thickness of a conpound semiconductor layer, and a method for manufacturing a semiconductor device using the method of determination

    公開番号: CN1134606

  • Determination of critical film thickness of a conpound semiconductor layer, and a method for manufacturing a semiconductor device using the method of determination

    特許番号: 5695556

  • カドミウムを含むIIVI族化合物半導体層およびその成長方法

    公開番号: 平09-097803

  • MBE System and semiconductor device using same

    特許番号: 5989339

  • MBE System and semiconductor device using same

    公開番号: 0702101

  • 分子線エピタキシャル成長装置および光半導体装置

    出願番号: 29598/95

  • METHOD FOR FORMING NITROGEN-DOPED II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM

    公開番号: 9506254

  • METHOD FOR FORMING NITROGEN-DOPED II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM

    公開番号: 074122

  • METHOD FOR FORMING NITROGEN-DOPED II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM

    公開番号: CN1161105

  • METHOD FOR FORMING NITROGEN-DOPED II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM

    特許番号: 28458

  • プラズマ発生装置

    公開番号: 平08-055800

  • 窒素ドーピングII-VI族化合物半導体の成膜方法

    公表番号: WO95/034093

  • METHOD FOR FORMING NITROGEN-DOPED II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM

    出願番号: PCT/JP95/000854

  • METHOD FOR FORMING NITROGEN-DOPED II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM

    特許番号: 5865897

  • 化合物半導体層の臨界膜厚の求め方およびそれを用いた光半導体装置の製造方法

    公開番号: 平08-139416

  • 分子線エピタキシャル成長装置および光半導体装置の製造方法

    公開番号: 408088175

  • 分子線エピタキシャル成長装置および光半導体装置の製造方法

    公開番号: 平08-088175

  • 有機金属化学気相成長法

    公開番号: 平07-147236

  • 成膜装置

    公開番号: 平07-106253

  • 気相成長装置

    公開番号: 平07-037809

  • 半導体レーザ発振器およびその製造方法

    公開番号: 平06-097590

  • 水素ガス検出器

    特許番号: 3196296

  • ヒーター及びかかるヒーターを用いた加熱処理装置

    特許番号: 3426612

  • 多重量子井戸型半導体レーザ

    特許番号: 3191363

  • SEMICONDUCTOR LASER

    特許番号: 0222375

  • 半導体レーザー

    公開番号: 平05-129722

  • 半導体レーザ及びその製造方法

    公開番号: 平05-129721

  • 屈折率導波型半導体レーザ

    公開番号: 平05-121831

  • 半導体レーザー

    公開番号: 平05-090708

  • SEMICONDUCTOR LASER

    特許番号: 5151912

  • ヘテロ接合型半導体レーザ

    公開番号: 平05-013872

  • 気相成長装置

    公開番号: 平4-174515

  • 化合物半導体レーザ

    公開番号: 平4-171782

  • 半導体レーザ

    特許番号: 2910119

  • 半導体レーザの製造方法

    公開番号: 平3-185780

  • プラズマを利用した薄膜成長法

    公開番号: 平3-49215

  • SOI基板の製造方法

    公開番号: 平2-152221

  • ヘテロエピタキシャル成長方法

    特許番号: 2687445

  • 選択ヘテロエピタキシャル成長方法

    特許番号: 2737925

  • ヘテロエピタキシャル成長方法

    特許番号: 2696928

  • ヘテロエピタキシャル成長方法

    公開番号: 平1-293611

  • ヘテロエピタキシャル成長方法

    特許番号: 2727564

  • 半導体基板の製造方法

    公開番号: 平1-291420

  • 半導体基板並びに半導体装置及びその製造方法

    特許番号: 2959767

  • Inを含むp型III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体発光装置の製造方法

    公開番号: 平11-121872

  • SEMICONDUCTOR DEVICE

    特許番号: P3728524.6

  • SEMICONDUCTOR DEVICE

    特許番号: 096170

  • Semiconductor devices and methods of manufactire

    特許番号: 2195050

  • 有機金属気相成長装置

    特許番号: 2576140

  • III-V族或いはII-VI族化合物半導体のエピタキシャル成長法

    特許番号: 2625695

  • 高速半導体装置

    特許番号: 2049881

  • 化合物半導体レーザー

    特許番号: 2094407

  • 半導体単結晶薄膜の形成方法

    特許番号: 2508456

  • 化合物半導体の製法とこれに用いる装置

    公開番号: 昭62-145725

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